Canale N 800 V 2 A (Tc) 42W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA (DPAK)
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IPD80R2K7C3AATMA1

Codice DigiKey
448-IPD80R2K7C3AATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
448-IPD80R2K7C3AATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
448-IPD80R2K7C3AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IPD80R2K7C3AATMA1
Descrizione
MOSFET N-CH TO252-3
Tempi di consegna standard del produttore
23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 800 V 2 A (Tc) 42W (Tc) A montaggio superficiale
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IPD80R2K7C3AATMA1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
CoolMOS™
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
800 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
2 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
2,7ohm a 1,2A, 10V
Vgs(th) max a Id
3,9V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
1.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
290 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
42W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-252AA (DPAK)
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base
IPD80R2
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In magazzino: 2 903
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,83000€ 1,83
10€ 1,16800€ 11,68
100€ 0,78750€ 78,75
500€ 0,62460€ 312,30
1 000€ 0,57222€ 572,22
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,45461€ 1 136,53
5 000€ 0,43254€ 2 162,70
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,83000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,23260
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