Name: IPD80R2K7C3AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD80R2K7C3AATMA1TR-ND
Price: 2.5376 EUR
Availability: InStock

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IPD80R2K7C3AATMA1
Codice DigiKey	448-IPD80R2K7C3AATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPD80R2K7C3AATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPD80R2K7C3AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPD80R2K7C3AATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH TO252-3
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 800 V 2 A (Tc) 42W (Tc) A montaggio superficiale
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPD80R2K7C3AATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 1.5 nC @ 10 V
Produttore Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Serie CoolMOS™	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 290 pF @ 100 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 42W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 800 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-252AA (DPAK)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
RDSon (max) a Id, Vgs 2,7ohm a 1,2A, 10V	Codice componente base IPD80R2
Vgs(th) max a Id 3,9V a 250µA