Name: IPD80R2K4P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD80R2K4P7ATMA1TR-ND
Price: 1.281 EUR
Availability: InStock

IPD80R2K4P7ATMA1
Codice DigiKey	IPD80R2K4P7ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD80R2K4P7ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPD80R2K4P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPD80R2K4P7ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3
Tempi di consegna standard del produttore	36 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 800 V 2,5 A (Tc) 22W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
cms-datasheet	cms-datasheet
Modelli EDA/CAD	IPD80R2K4P7ATMA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ P7
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	800 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	2,5 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	2,4ohm a 800mA, 10V
Vgs(th) max a Id	3,5V a 40µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	7.5 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	150 pF @ 500 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	22W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO252-3
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	IPD80R2

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,05000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,28100

IPD80R2K4P7ATMA1