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IPD80R1K4CEATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPD80R1K4CEATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD80R1K4CEATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPD80R1K4CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPD80R1K4CEATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 800 V 3,9 A (Tc) 63W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPD80R1K4CEATMA1 Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Non per nuovi progetti | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 800 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 1,4ohm a 2,3A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,9V a 240µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 23 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 570 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 63W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO252-3 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
In magazzino: 2 486
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,55000 | € 1,55 |
| 10 | € 0,98400 | € 9,84 |
| 100 | € 0,66050 | € 66,05 |
| 500 | € 0,52210 | € 261,05 |
| 1 000 | € 0,47755 | € 477,55 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,42935 | € 1 073,38 |
| 5 000 | € 0,39957 | € 1 997,85 |
| 7 500 | € 0,39007 | € 2 925,52 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,55000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,89100 |
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