Name: IPD65R660CFDAATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD65R660CFDAATMA1TR-ND
Price: 2.5132 EUR
Availability: InStock

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IPD65R660CFDAATMA1
Codice DigiKey	448-IPD65R660CFDAATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPD65R660CFDAATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPD65R660CFDAATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPD65R660CFDAATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
Tempi di consegna standard del produttore	29 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 6 A (Tc) 62,5W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPD65R660CFDAATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 20 nC @ 10 V
Produttore Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Serie CoolMOS™	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 543 pF @ 100 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 62,5W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-TO252-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
RDSon (max) a Id, Vgs 660mohm a 3,22A, 10V	Codice componente base IPD65R660
Vgs(th) max a Id 4,5V a 214,55µA