


IPD65R650CEAUMA1 | |
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Codice DigiKey | IPD65R650CEAUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD65R650CEAUMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPD65R650CEAUMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPD65R650CEAUMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 7A TO252-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 7 A (Tc) 86W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPD65R650CEAUMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Non per nuovi progetti | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 650mohm a 2,1A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,5V a 210µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 23 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 440 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 86W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO252-3 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,30000 | € 1,30 |
| 10 | € 0,82100 | € 8,21 |
| 100 | € 0,54430 | € 54,43 |
| 500 | € 0,42526 | € 212,63 |
| 1 000 | € 0,38694 | € 386,94 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,30465 | € 761,62 |
| 5 000 | € 0,28205 | € 1 410,25 |
| 7 500 | € 0,27054 | € 2 029,05 |
| 12 500 | € 0,27006 | € 3 375,75 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,30000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,58600 |







