Name: IPD65R650CEAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD65R650CEAUMA1TR-ND
Price: 1.5372 EUR
Availability: InStock

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IPD65R650CEAUMA1
Codice DigiKey	IPD65R650CEAUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD65R650CEAUMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPD65R650CEAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPD65R650CEAUMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 7A TO252-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 7 A (Tc) 86W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPD65R650CEAUMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,5V a 210µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 23 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ CE	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 440 pF @ 100 V
Stato componente Non per nuovi progetti	Dissipazione di potenza (max) 86W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Contenitore del fornitore PG-TO252-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 7 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IPD65R650
RDSon (max) a Id, Vgs 650mohm a 2,1A, 10V

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Sostituti (3)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
FCD620N60ZF	onsemi	0	FCD620N60ZFCT-ND	€ 2,52000	Aggiornamento
FCD850N80Z	onsemi	17 987	488-FCD850N80ZCT-ND	€ 3,03000	Simile
STD10LN80K5	STMicroelectronics	1 807	497-STD10LN80K5CT-ND	€ 3,31000	Simile

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