


IPD65R380E6ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IPD65R380E6ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPD65R380E6ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPD65R380E6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPD65R380E6ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 10,6 A (Tc) 83W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPD65R380E6ATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Non per nuovi progetti | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 380mohm a 3,2A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,5V a 320µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 39 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 710 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 83W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO252-3 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,96000 | € 1,96 |
| 10 | € 1,25800 | € 12,58 |
| 100 | € 0,85580 | € 85,58 |
| 500 | € 0,68350 | € 341,75 |
| 1 000 | € 0,66153 | € 661,53 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,55117 | € 1 377,93 |
| 5 000 | € 0,54046 | € 2 702,30 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,96000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,39120 |


