Name: IPD650P06NMATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD650P06NMATMA1TR-ND
Price: 2.196 EUR
Availability: InStock

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IPD650P06NMATMA1
Codice DigiKey	448-IPD650P06NMATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPD650P06NMATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPD650P06NMATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPD650P06NMATMA1
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 22 A (Tc) 83W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-313
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPD650P06NMATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	22 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	65mohm a 22A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 1,04mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1600 pF @ 30 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	83W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO252-3-313
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	IPD650