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IPD60R750E6BTMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPD60R750E6BTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | IPD60R750E6BTMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 5,7 A (Tc) 48W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 3,5V a 170µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 17.2 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 373 pF @ 100 V |
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey | Dissipazione di potenza (max) 48W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Contenitore del fornitore PG-TO252-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 750mohm a 2A, 10V |
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Sostituti (9)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD60R950C6ATMA1 | Infineon Technologies | 3 984 | IPD60R950C6ATMA1CT-ND | € 1,38000 | Diretto |
| AOD7S65 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 2 492 | 785-1537-1-ND | € 2,22000 | Simile |
| FCD850N80Z | onsemi | 17 987 | 488-FCD850N80ZCT-ND | € 3,03000 | Simile |
| FCD900N60Z | onsemi | 1 442 | FCD900N60ZCT-ND | € 2,26000 | Simile |
| SIHD6N62E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHD6N62E-GE3-ND | € 0,61594 | Simile |
In magazzino: 0
