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IPD60R600C6BTMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPD60R600C6BTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | IPD60R600C6BTMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 7,3 A (Tc) 63W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 3,5V a 200µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 20.5 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 440 pF @ 100 V |
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey | Dissipazione di potenza (max) 63W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Contenitore del fornitore PG-TO252-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 600mohm a 2,4A, 10V |
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Sostituti (9)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD60R600C6ATMA1 | Infineon Technologies | 3 617 | IPD60R600C6ATMA1CT-ND | € 1,63000 | Diretto |
| FCD600N60Z | onsemi | 15 045 | FCD600N60ZCT-ND | € 2,58000 | Diretto |
| AOD7S60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 3 873 | 785-1266-1-ND | € 2,34000 | Simile |
| FCD850N80Z | onsemi | 17 987 | 488-FCD850N80ZCT-ND | € 3,03000 | Simile |
| STD10N60M2 | STMicroelectronics | 3 547 | 497-13937-1-ND | € 1,51000 | Simile |
In magazzino: 0
