


IPD60R3K3C6ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPD60R3K3C6ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD60R3K3C6ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPD60R3K3C6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPD60R3K3C6ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 1,7 A (Tc) 18,1W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPD60R3K3C6ATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Non per nuovi progetti | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 600 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 3,3ohm a 500mA, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,5V a 40µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 4.6 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 93 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 18,1W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO252-3 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,90000 | € 0,90 |
| 10 | € 0,56300 | € 5,63 |
| 100 | € 0,36820 | € 36,82 |
| 500 | € 0,28430 | € 142,15 |
| 1 000 | € 0,25728 | € 257,28 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,22800 | € 570,00 |
| 5 000 | € 0,20991 | € 1 049,55 |
| 7 500 | € 0,20069 | € 1 505,17 |
| 12 500 | € 0,19033 | € 2 379,12 |
| 17 500 | € 0,18419 | € 3 223,32 |
| 25 000 | € 0,18407 | € 4 601,75 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,90000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,09800 |







