Name: IPD60R1K5PFD7SAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD60R1K5PFD7SAUMA1TR-ND
Price: 1.2078 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IPD60R1K5PFD7SAUMA1
Codice DigiKey	448-IPD60R1K5PFD7SAUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPD60R1K5PFD7SAUMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPD60R1K5PFD7SAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPD60R1K5PFD7SAUMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 3.6A TO252
Tempi di consegna standard del produttore	27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 3,6 A (Tc) 22W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-344
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPD60R1K5PFD7SAUMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ PFD7
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3,6 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,5ohm a 700mA, 10V
Vgs(th) max a Id	4,5V a 40µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	4.6 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	169 pF @ 400 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	22W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO252-3-344
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	IPD60R