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IPD50R650CEAUMA1
Infineon Technologies
In magazzino: 1
Prezzo unitario : € 0,99000
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Canale N 500 V 6,1 A (Tc) 69W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
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Canale N 500 V 6,1 A (Tc) 69W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
PG-TO-252-3

IPD50R650CEATMA1

Codice DigiKey
IPD50R650CEATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IPD50R650CEATMA1
Descrizione
MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 500 V 6,1 A (Tc) 69W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
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Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
CoolMOS™ CE
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
500 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
6,1 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
13V
RDSon (max) a Id, Vgs
650mohm a 1,8A, 13V
Vgs(th) max a Id
3,5V a 150µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
342 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
69W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-TO252-3
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base
IPD50R
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