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IPD50P04P4L11ATMA1 è obsoleto e non è più in produzione.
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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
IPD50P04P4L11ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPD50P04P4L11ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD50P04P4L11ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPD50P04P4L11ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPD50P04P4L11ATMA1 |
Descrizione | MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 40 V 50 A (Tc) 58W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-313 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPD50P04P4L11ATMA1 Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Obsoleto | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 40 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 10,6mohm a 50A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,2V a 85µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 59 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | +5V, -16V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 3900 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 58W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 155°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO252-3-313 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Obsoleto
Italia