
IPD50N03S4L06ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPD50N03S4L06ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD50N03S4L06ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) |
Produttore | |
Codice produttore | IPD50N03S4L06ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31 |
Tempi di consegna standard del produttore | 18 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 50 A (Tc) 56W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-11 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPD50N03S4L06ATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 5,5mohm a 50A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,2V a 20µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 31 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±16V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2330 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 56W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO252-3-11 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,13000 | € 1,13 |
| 10 | € 0,70700 | € 7,07 |
| 100 | € 0,46680 | € 46,68 |
| 500 | € 0,36382 | € 181,91 |
| 1 000 | € 0,33066 | € 330,66 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,29476 | € 736,90 |
| 5 000 | € 0,27258 | € 1 362,90 |
| 7 500 | € 0,26127 | € 1 959,53 |
| 12 500 | € 0,25022 | € 3 127,75 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,13000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,37860 |



