Name: IPD35N12S3L24ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD35N12S3L24ATMA1TR-ND
Price: 2.5254 EUR
Availability: InStock

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IPD35N12S3L24ATMA1
Codice DigiKey	IPD35N12S3L24ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD35N12S3L24ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPD35N12S3L24ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPD35N12S3L24ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 120V 35A TO252-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 120 V 35 A (Tc) 71W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 39 nC @ 10 V
Produttore Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Serie OptiMOS™	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2700 pF @ 25 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 71W (Tc)
Stato componente Non per nuovi progetti	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 120 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 35 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-TO252-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
RDSon (max) a Id, Vgs 24mohm a 35A, 10V	Codice componente base IPD35N12
Vgs(th) max a Id 2,4V a 39µA