
IPD35N10S3L26ATMA2 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IPD35N10S3L26ATMA2TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPD35N10S3L26ATMA2CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPD35N10S3L26ATMA2DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPD35N10S3L26ATMA2 |
Descrizione | MOSFET_(75V 120V( |
Tempi di consegna standard del produttore | 18 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 35 A (Tc) 71W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-11 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPD35N10S3L26ATMA2 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 24mohm a 35A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,4V a 39µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 39 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2700 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 71W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO252-3-11 | |
Contenitore/involucro |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 2,01000 | € 2,01 |
| 10 | € 1,28800 | € 12,88 |
| 100 | € 0,87480 | € 87,48 |
| 500 | € 0,69792 | € 348,96 |
| 1 000 | € 0,64104 | € 641,04 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,57948 | € 1 448,70 |
| 5 000 | € 0,54146 | € 2 707,30 |
| 7 500 | € 0,52210 | € 3 915,75 |
| 12 500 | € 0,51249 | € 6 406,12 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 2,01000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,45220 |


