Name: IPD350N06LGBTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD350N06LGBTMA1TR-ND
Price: 1.2566 EUR
Availability: InStock

IPD350N06LGBTMA1
Codice DigiKey	IPD350N06LGBTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD350N06LGBTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPD350N06LGBTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPD350N06LGBTMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 29 A (Tc) 68W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPD350N06LGBTMA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Non per nuovi progetti
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	29 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	35mohm a 29A, 10V
Vgs(th) max a Id	2V a 28µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	13 nC @ 5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	800 pF @ 30 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	68W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO252-3
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	IPD350

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,03000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,25660

IPD350N06LGBTMA1