Name: IPD30N08S2L21ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD30N08S2L21ATMA1TR-ND
Price: 2.6962 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IPD30N08S2L21ATMA1
Codice DigiKey	IPD30N08S2L21ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD30N08S2L21ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPD30N08S2L21ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPD30N08S2L21ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 75 V 30 A (Tc) 136W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-11
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPD30N08S2L21ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 72 nC @ 10 V
Produttore Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Serie OptiMOS™	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1650 pF @ 25 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 136W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 75 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 30 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-TO252-3-11
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
RDSon (max) a Id, Vgs 20,5mohm a 25A, 10V	Codice componente base IPD30N08
Vgs(th) max a Id 2V a 80µA