Canale N 75 V 27 A (Tc) 75W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-11
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IPD22N08S2L50ATMA1

Codice DigiKey
IPD22N08S2L50ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
IPD22N08S2L50ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
IPD22N08S2L50ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IPD22N08S2L50ATMA1
Descrizione
MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3
Tempi di consegna standard del produttore
18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 75 V 27 A (Tc) 75W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-11
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IPD22N08S2L50ATMA1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
OptiMOS™
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
75 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
27 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
50mohm a 50A, 10V
Vgs(th) max a Id
2V a 31µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
630 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
75W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-TO252-3-11
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base
IPD22N08
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In magazzino: 323
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,80000€ 1,80
10€ 1,15100€ 11,51
100€ 0,78000€ 78,00
500€ 0,62074€ 310,37
1 000€ 0,58924€ 589,24
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,51409€ 1 285,23
5 000€ 0,48140€ 2 407,00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,80000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,19600
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