Name: IPD130N10NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD130N10NF2SATMA1TR-ND
Price: 1.8666 EUR
Availability: InStock

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IPD130N10NF2SATMA1
Codice DigiKey	448-IPD130N10NF2SATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPD130N10NF2SATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPD130N10NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPD130N10NF2SATMA1
Descrizione	MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 11A (Ta), 52A (Tc) 3W (Ta), 71W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPD130N10NF2SATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	StrongIRFET™ 2
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	11A (Ta), 52A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	13mohm a 30A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,8V a 30µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1300 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3W (Ta), 71W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO252-3
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63

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Nastrato in bobina (TR)