Name: IPD130N10NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD130N10NF2SATMA1TR-ND
Price: 2.1716 EUR
Availability: InStock

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IPD130N10NF2SATMA1
Codice DigiKey	448-IPD130N10NF2SATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPD130N10NF2SATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPD130N10NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPD130N10NF2SATMA1
Descrizione	MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 11A (Ta), 52A (Tc) 3W (Ta), 71W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPD130N10NF2SATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 13mohm a 30A, 10V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 3,8V a 30µA
Serie StrongIRFET™ 2	Carica del gate (Qg) max a Vgs 28 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1300 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 71W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 11A (Ta), 52A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-TO252-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,78000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,17160

IPD130N10NF2SATMA1