Name: IPD11DP10NMATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD11DP10NMATMA1TR-ND
Price: 2.2814 EUR
Availability: InStock

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IPD11DP10NMATMA1
Codice DigiKey	448-IPD11DP10NMATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPD11DP10NMATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPD11DP10NMATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPD11DP10NMATMA1
Descrizione	TRENCH >=100V PG-TO252-3
Tempi di consegna standard del produttore	25 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 100 V 3,4A (Ta), 22A (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPD11DP10NMATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 1,7mA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 74 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3200 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 125W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore PG-TO252-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,4A (Ta), 22A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IPD11D
RDSon (max) a Id, Vgs 111mohm a 18A, 10V