Name: IPD110N12N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD110N12N3GATMA1TR-ND
Price: 2.9402 EUR
Availability: InStock

IPD110N12N3GATMA1
Codice DigiKey	IPD110N12N3GATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD110N12N3GATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPD110N12N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPD110N12N3GATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 120 V 75 A (Tc) 136W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPD110N12N3GATMA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	120 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	75 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	11mohm a 75A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 83µA (tip.)
Carica del gate (Qg) max a Vgs	65 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	4310 pF @ 60 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	136W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO252-3
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	IPD110

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,41000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,94020

IPD110N12N3GATMA1