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Infineon Technologies
In magazzino: 63 882
Prezzo unitario : € 0,90000
Scheda tecnica

Simile


STMicroelectronics
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,00000
Scheda tecnica
Canale N 30 V 40 A (Tc) 42W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
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IPD090N03LGBTMA1

Codice DigiKey
IPD090N03LGBTMA1-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
IPD090N03LGBTMA1
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 40 A (Tc) 42W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Non per nuovi progetti
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
9mohm a 30A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1600 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
42W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-TO252-3
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,22266€ 556,65
5 000€ 0,20490€ 1 024,50
7 500€ 0,19585€ 1 468,88
12 500€ 0,18569€ 2 321,12
17 500€ 0,17967€ 3 144,22
25 000€ 0,17890€ 4 472,50
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,22266
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,27165