
IPD088N06N3GATMA1 | |
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Codice DigiKey | 448-IPD088N06N3GATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | IPD088N06N3GATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 60 V 50 A (Tc) 71W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-311 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPD088N06N3GATMA1 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 34µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 48 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3900 pF @ 30 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 71W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 60 V | Contenitore del fornitore PG-TO252-3-311 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 8,8mohm a 50A, 10V |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,43845 | € 1 096,12 |
| 5 000 | € 0,40714 | € 2 035,70 |
| 7 500 | € 0,39119 | € 2 933,92 |
| 12 500 | € 0,37327 | € 4 665,88 |
| 17 500 | € 0,36266 | € 6 346,55 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,43845 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,53491 |

