Canale N 60 V 50 A (Tc) 71W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-311
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IPD088N06N3GATMA1

Codice DigiKey
448-IPD088N06N3GATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
IPD088N06N3GATMA1
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Tempi di consegna standard del produttore
22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 50 A (Tc) 71W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-311
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IPD088N06N3GATMA1 Modelli
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
4V a 34µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
48 nC @ 10 V
Serie
Vgs (max)
±20V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3900 pF @ 30 V
Stato componente
Attivo
Dissipazione di potenza (max)
71W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Contenitore del fornitore
PG-TO252-3-311
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
8,8mohm a 50A, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,43845€ 1 096,12
5 000€ 0,40714€ 2 035,70
7 500€ 0,39119€ 2 933,92
12 500€ 0,37327€ 4 665,88
17 500€ 0,36266€ 6 346,55
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,43845
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,53491