Name: IPD068P03L3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD068P03L3GATMA1TR-ND
Price: 2.0008 EUR
Availability: InStock

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IPD068P03L3GATMA1
Codice DigiKey	IPD068P03L3GATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD068P03L3GATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPD068P03L3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPD068P03L3GATMA1
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 70 A (Tc) 100W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPD068P03L3GATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 150µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 91 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 7720 pF @ 15 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 100W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore PG-TO252-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 70 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base IPD068
RDSon (max) a Id, Vgs 6,8mohm a 70 A, 10V