Name: IPD055N08NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD055N08NF2SATMA1TR-ND
Price: 3.0866 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IPD055N08NF2SATMA1
Codice DigiKey	448-IPD055N08NF2SATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPD055N08NF2SATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPD055N08NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPD055N08NF2SATMA1
Descrizione	MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore	25 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 17 A (Ta), 98 A (Tc) 3W (Ta), 107W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPD055N08NF2SATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 5,5mohm a 60A, 10V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 3,8V a 55µA
Serie StrongIRFET™ 2	Carica del gate (Qg) max a Vgs 54 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2500 pF @ 40 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 107W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 17 A (Ta), 98 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-TO252-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63