Name: IPD053N08N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD053N08N3GATMA1TR-ND
Price: 3.5136 EUR
Availability: InStock

IPD053N08N3GATMA1
Codice DigiKey	IPD053N08N3GATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD053N08N3GATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPD053N08N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPD053N08N3GATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 90 A (Tc) 150W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPD053N08N3GATMA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	80 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	90 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	5,3mohm a 90A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,5V a 90µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	69 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	4750 pF @ 40 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	150W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO252-3
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	IPD053

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2 500	€ 0,88885	€ 2 222,12
5 000	€ 0,83896	€ 4 194,80

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,88000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 3,51360

IPD053N08N3GATMA1