Name: IPC50N04S55R8ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPC50N04S55R8ATMA1TR-ND
Price: 1.3298 EUR
Availability: InStock

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IPC50N04S55R8ATMA1
Codice DigiKey	IPC50N04S55R8ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPC50N04S55R8ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPC50N04S55R8ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPC50N04S55R8ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 50 A (Tc) 42W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-33
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPC50N04S55R8ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	50 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	7V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	5,8mohm a 25A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,4V a 13µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	18 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1090 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	42W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TDSON-8-33
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN
Codice componente base	IPC50N