Name: IPBE65R099CFD7AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPBE65R099CFD7AATMA1TR-ND
Price: 7.991 EUR
Availability: InStock

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IPBE65R099CFD7AATMA1
Codice DigiKey	448-IPBE65R099CFD7AATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPBE65R099CFD7AATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPBE65R099CFD7AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPBE65R099CFD7AATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 24A TO263-7
Tempi di consegna standard del produttore	32 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 24 A (Tc) 127W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7-3-10
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPBE65R099CFD7AATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 53 nC @ 10 V
Produttore Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Serie CoolMOS™ CFD7A	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2513 pF @ 400 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 127W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 24 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-TO263-7-3-10
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-263-7, D2PAK (6 conduttori+linguetta), TO-263CB
RDSon (max) a Id, Vgs 99mohm a 12,5A, 10V	Codice componente base IPBE65
Vgs(th) max a Id 4,5V a 630µA