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IPB80N08S2L07ATMA1 è obsoleto e non è più in produzione.
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IPB80N08S2L07ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPB80N08S2L07ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPB80N08S2L07ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPB80N08S2L07ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPB80N08S2L07ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 75 V 80 A (Tc) 300W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPB80N08S2L07ATMA1 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 233 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5400 pF @ 25 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) |
Stato componente Obsoleto | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 75 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PG-TO263-3-2 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 6,8mohm a 80A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 2V a 250µA |
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Sostituti (16)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IAUC64N08S5L075ATMA1 | Infineon Technologies | 380 | 448-IAUC64N08S5L075ATMA1CT-ND | € 1,94000 | Consigliato dal produttore |
| IRF3808STRLPBF | Infineon Technologies | 1 184 | IRF3808STRLPBFCT-ND | € 4,27000 | Simile |
| IRFS3307ZTRRPBF | Infineon Technologies | 448 | 448-IRFS3307ZTRRPBFCT-ND | € 3,82000 | Simile |
| IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies | 2 248 | IRFS3607TRLPBFCT-ND | € 2,24000 | Simile |
| STB75NF75T4 | STMicroelectronics | 1 564 | 497-15666-1-ND | € 3,45000 | Diretto |
Obsoleto
