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IPB80N06S2L06ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPB80N06S2L06ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | IPB80N06S2L06ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 55 V 80 A (Tc) 250W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 150 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3800 pF @ 25 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc) |
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 55 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PG-TO263-3-2 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 6mohm a 69A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 2V a 180µA |
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Sostituti (8)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB80N06S2L06ATMA2 | Infineon Technologies | 1 | IPB80N06S2L06ATMA2CT-ND | € 3,53000 | Diretto |
| BUK966R5-60E,118 | Nexperia USA Inc. | 5 394 | 1727-7263-1-ND | € 2,74000 | Simile |
| FDB070AN06A0 | onsemi | 1 570 | FDB070AN06A0CT-ND | € 3,96000 | Simile |
| NP110N055PUK-E1-AY | Renesas Electronics Corporation | 269 | 559-NP110N055PUK-E1-AYCT-ND | € 5,04000 | Simile |
| PSMN7R6-60BS,118 | Nexperia USA Inc. | 152 | 1727-7215-1-ND | € 2,18000 | Simile |
In magazzino: 0
