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IPB70N12S311ATMA1
Infineon Technologies
In magazzino: 7 209
Prezzo unitario : € 1,36833
Scheda tecnica
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Canale N 120 V 70 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2
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IPB70N12S3L12ATMA1

Codice DigiKey
IPB70N12S3L12ATMA1-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IPB70N12S3L12ATMA1
Descrizione
MOSFET N-CHANNEL_100+
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 120 V 70 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
OptiMOS™ T
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
120 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
70 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
12,1mohm a 70A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,4V a 83µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
77 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
5550 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
125W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-TO263-3-2
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
IPB70N
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