Name: IPB70N10S312ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB70N10S312ATMA2TR-ND
Price: 1.35139 EUR
Availability: OutOfStock

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IPB70N10S312ATMA2
Codice DigiKey	448-IPB70N10S312ATMA2TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPB70N10S312ATMA2
Descrizione	MOSFET_(75V 120V(
Tempi di consegna standard del produttore	9 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 70 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPB70N10S312ATMA2 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	70 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	11,6mohm a 70A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 83µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	66 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	4355 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	125W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO263-3-2
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB

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Quantità

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Nastrato in bobina (TR)