Name: IPB65R190CFDAATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB65R190CFDAATMA1TR-ND
Price: 4.8312 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IPB65R190CFDAATMA1
Codice DigiKey	448-IPB65R190CFDAATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPB65R190CFDAATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPB65R190CFDAATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPB65R190CFDAATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 17,5 A (Tc) 151W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPB65R190CFDAATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 68 nC @ 10 V
Produttore Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Serie CoolMOS™	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1850 pF @ 100 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 151W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 17,5 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-TO263-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
RDSon (max) a Id, Vgs 190mohm a 7,3 A, 10V	Codice componente base IPB65R190
Vgs(th) max a Id 4,5V a 700µA