Name: IPB65R150CFDAATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB65R150CFDAATMA1TR-ND
Price: 5.6608 EUR
Availability: InStock

Canale N 650 V 22,4 A (Tc) 195,3W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3

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IPB65R150CFDAATMA1
Codice DigiKey	448-IPB65R150CFDAATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPB65R150CFDAATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPB65R150CFDAATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPB65R150CFDAATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 22.4A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 22,4 A (Tc) 195,3W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPB65R150CFDAATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Data di acquisto finale
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	22,4 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	150mohm a 9,3A, 10V
Vgs(th) max a Id	4,5V a 900µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	86 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2340 pF @ 100 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	195,3W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO263-3
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	IPB65R150

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