Name: IPB60R080P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB60R080P7ATMA1TR-ND
Price: 5.5754 EUR
Availability: InStock

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IPB60R080P7ATMA1
Codice DigiKey	IPB60R080P7ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPB60R080P7ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPB60R080P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPB60R080P7ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 37A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 37 A (Tc) 129W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPB60R080P7ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 590µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 51 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ P7	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2180 pF @ 400 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 129W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Contenitore del fornitore PG-TO263-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 37 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IPB60R080
RDSon (max) a Id, Vgs 80mohm a 11,8A, 10V