IPB530N15N3GATMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

IPB530N15N3GATMA1 è obsoleto e non è più in produzione.

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Infineon Technologies

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IPB530N15N3GATMA1
Codice DigiKey	IPB530N15N3GATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPB530N15N3GATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 150 V 21 A (Tc) 68W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPB530N15N3GATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 35µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 12 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 887 pF @ 75 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 68W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 150 V	Contenitore del fornitore PG-TO263-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 21 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 8V, 10V	Codice componente base IPB530
RDSon (max) a Id, Vgs 53mohm a 18A, 10V