Name: IPB50R140CPATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB50R140CPATMA1TR-ND
Price: 5.0874 EUR
Availability: InStock

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IPB50R140CPATMA1
Codice DigiKey	IPB50R140CPATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPB50R140CPATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPB50R140CPATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPB50R140CPATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 550V 23A TO263-3
Tempi di consegna standard del produttore	21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 550 V 23 A (Tc) 192W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPB50R140CPATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,5V a 930µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 64 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2540 pF @ 100 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 192W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 550 V	Contenitore del fornitore PG-TO263-3-2
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 23 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IPB50R140
RDSon (max) a Id, Vgs 140mohm a 14A, 10V

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 4,17000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 5,08740

IPB50R140CPATMA1