Canale P 30 V 45 A (Tc) 58W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2
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IPB45P03P4L11ATMA1

Codice DigiKey
IPB45P03P4L11ATMA1-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IPB45P03P4L11ATMA1
Descrizione
MOSFET P-CH 30V 45A TO263-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 30 V 45 A (Tc) 58W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
OptiMOS™
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Fuori produzione presso DigiKey
Tipo FET
Canale P
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
45 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
10,8mohm a 45A, 10V
Vgs(th) max a Id
2V a 85µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (max)
+5V, -16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3770 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
58W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-TO263-3-2
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
IPB45P03
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