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Canale N 60 V 45 A (Tc) 71W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2
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IPB45N06S4L08ATMA1

Codice DigiKey
IPB45N06S4L08ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
IPB45N06S4L08ATMA1
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 45 A (Tc) 71W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
Carica del gate (Qg) max a Vgs
64 nC @ 10 V
Produttore
Vgs (max)
±16V
Serie
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
4780 pF @ 25 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Dissipazione di potenza (max)
71W (Tc)
Stato componente
Fuori produzione presso DigiKey
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET
Grado
Automobilistico
Tecnologia
Qualifica
AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
PG-TO263-3-2
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
7,9mohm a 45A, 10V
Codice componente base
Vgs(th) max a Id
2,2V a 35µA
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (8)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
IPB45N06S4L08ATMA3Infineon Technologies2 883448-IPB45N06S4L08ATMA3CT-ND€ 1,98000Diretto
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