Canale N 60 V 45 A (Tc) 71W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2
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IPB45N06S409ATMA2

Codice DigiKey
IPB45N06S409ATMA2-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IPB45N06S409ATMA2
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 45 A (Tc) 71W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
OptiMOS™ T2
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
45 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
9,4mohm a 45A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 34µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3785 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
71W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-TO263-3-2
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
IPB45N
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