Name: IPB35N10S3L26ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB35N10S3L26ATMA1TR-ND
Price: 3.0378 EUR
Availability: InStock

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IPB35N10S3L26ATMA1
Codice DigiKey	448-IPB35N10S3L26ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPB35N10S3L26ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPB35N10S3L26ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPB35N10S3L26ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	9 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 35 A (Tc) 71W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	35 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	26,3mohm a 35A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,4V a 39µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2700 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	71W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO263-3
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	IPB35N10