Canale N 60 V 180 A (Tc) 250W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7
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IPB180N06S4H1ATMA2

Codice DigiKey
448-IPB180N06S4H1ATMA2TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
448-IPB180N06S4H1ATMA2CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
448-IPB180N06S4H1ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IPB180N06S4H1ATMA2
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Tempi di consegna standard del produttore
18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 180 A (Tc) 250W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IPB180N06S4H1ATMA2 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
OptiMOS™
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
180 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
1,7mohm a 100A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 200µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
270 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
21900 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
250W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-TO263-7
Contenitore/involucro
TO-263-7, D2PAK (6 conduttori+linguetta)
Codice componente base
IPB180
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In magazzino: 1 520
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 4,20000€ 4,20
10€ 2,77300€ 27,73
100€ 1,96620€ 196,62
500€ 1,70812€ 854,06
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1 000€ 1,51138€ 1 511,38
2 000€ 1,41847€ 2 836,94
3 000€ 1,39554€ 4 186,62
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 4,20000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 5,12400
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