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IPB16CN10N G è obsoleto e non è più in produzione.
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IPB16CN10N G | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPB16CN10NG-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | IPB16CN10N G |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 53A D2PAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 53 A (Tc) 100W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 61µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 48 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3220 pF @ 50 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 100W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Contenitore del fornitore PG-TO263-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 16,5mohm a 53A, 10V |
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Sostituti (5)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF3710STRLPBF | Infineon Technologies | 8 439 | IRF3710STRLPBFCT-ND | € 2,69000 | Simile |
| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | 1 600 | 448-IRFS4510TRLPBFTR-ND | € 0,86946 | Simile |
| FQB55N10TM | onsemi | 879 | FQB55N10TMCT-ND | € 2,86000 | Simile |
| PSMN016-100BS,118 | Nexperia USA Inc. | 4 024 | 1727-7208-1-ND | € 2,18000 | Simile |
| STB80NF10T4 | STMicroelectronics | 830 | 497-2489-1-ND | € 3,26000 | Simile |
Obsoleto
