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Canale N 40 V 160 A (Tc) 300W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7-3
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IPB160N04S2L03ATMA2

Codice DigiKey
448-IPB160N04S2L03ATMA2TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
448-IPB160N04S2L03ATMA2CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
448-IPB160N04S2L03ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IPB160N04S2L03ATMA2
Descrizione
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Tempi di consegna standard del produttore
18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 40 V 160 A (Tc) 300W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IPB160N04S2L03ATMA2 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
OptiMOS™
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
160 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
2,7mohm a 80A, 10V
Vgs(th) max a Id
2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
230 nC @ 5 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
6000 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
300W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-TO263-7-3
Contenitore/involucro
TO-263-7, D2PAK (6 conduttori+linguetta)
Codice componente base
IPB160N
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Quantità
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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 3,82000€ 3,82
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1 000€ 1,36856€ 1 368,56
2 000€ 1,34318€ 2 686,36
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 3,82000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 4,66040
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