IPB049NE7N3GATMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

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IPB049NE7N3GATMA1
Codice DigiKey	IPB049NE7N3GATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPB049NE7N3GATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPB049NE7N3GATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 75 V 80 A (Tc) 150W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPB049NE7N3GATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,8V a 91µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 68 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4750 pF @ 37.5 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 75 V	Contenitore del fornitore PG-TO263-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 80 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IPB049
RDSon (max) a Id, Vgs 4,9mohm a 80 A, 10V

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Sostituti (10)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
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