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IPB049NE7N3GATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPB049NE7N3GATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPB049NE7N3GATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) |
Produttore | |
Codice produttore | IPB049NE7N3GATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 75 V 80 A (Tc) 150W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPB049NE7N3GATMA1 Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) | |
Stato componente | Obsoleto | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 75 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 4,9mohm a 80 A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,8V a 91µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 68 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 4750 pF @ 37.5 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO263-3 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
In magazzino: 349
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 3,04000 | € 3,04 |
| 10 | € 1,98700 | € 19,87 |
| 100 | € 1,38830 | € 138,83 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 3,04000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 3,70880 |
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