Name: IPB040N08NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB040N08NF2SATMA1TR-ND
Price: 2.745 EUR
Availability: InStock

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IPB040N08NF2SATMA1
Codice DigiKey	448-IPB040N08NF2SATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPB040N08NF2SATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPB040N08NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPB040N08NF2SATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 107A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 107 A (Tc) 3,8W (Ta), 150W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPB040N08NF2SATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,8V a 85µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 81 nC @ 10 V
Serie StrongIRFET™ 2	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3800 pF @ 40 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,8W (Ta), 150W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Contenitore del fornitore PG-TO263-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 107 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base IPB040N
RDSon (max) a Id, Vgs 4mohm a 80A, 10V

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In magazzino: 760

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,25000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,74500

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