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IPB039N10N3GE8187ATMA1 è obsoleto e non è più in produzione.
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IPB039N10N3GE8187ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPB039N10N3GE8187ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | IPB039N10N3GE8187ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 160 A (Tc) 214W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 3,5V a 160µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 117 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 8410 pF @ 50 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 214W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Contenitore del fornitore PG-TO263-7 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 3,9mohm a 100A, 10V |
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Sostituti (1)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB039N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | 14 834 | IPB039N10N3GATMA1CT-ND | € 3,56000 | Equivalente parametrico |
Obsoleto
