Name: IPB015N06NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB015N06NF2SATMA1TR-ND
Price: 3.7088 EUR
Availability: InStock

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IPB015N06NF2SATMA1
Codice DigiKey	448-IPB015N06NF2SATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPB015N06NF2SATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPB015N06NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPB015N06NF2SATMA1
Descrizione	TRENCH 40<-<100V
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 37A (Ta), 195A (Tc) 3,8W (Ta), 250W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPB015N06NF2SATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,3V a 186µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 233 nC @ 10 V
Serie StrongIRFET™2	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 10500 pF @ 30 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,8W (Ta), 250W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Contenitore del fornitore PG-TO263-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 37A (Ta), 195A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base IPB015
RDSon (max) a Id, Vgs 1,5mohm a 100A, 10V